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IDT71V3576S200BG8

更新时间： 2024-11-11 15:34:43
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 363K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IDT71V3576S200BG8 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA-119
针数：119Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.38最长访问时间：3.1 ns
其他特性：ALSO REQUIRES 3.3V I/O SUPPLYJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e3长度：22 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：1
功能数量：1端子数量：119
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.5 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.465 V最小供电电压 (Vsup)：3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：14 mm
Base Number Matches：1

IDT71V3576S200BG8 数据手册

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128K X 36, 256K X 18  
Preliminary  
IDT71V3576  
IDT71V3578  
3.3V Synchronous SRAMs  
3.3V I/O, Pipelined Outputs  
Burst Counter, Single Cycle Deselect  
Features  
Description  
◆
128K x 36, 256K x 18 memory configurations  
The IDT71V3576/78 are high-speed SRAMs organized as  
128Kx36/256Kx18. TheIDT71V3576/78SRAMscontainwrite, data,  
addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate  
aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof  
thewritecycle.  
◆
Supports high system speed:  
– 200MHz 3.1ns clock access time  
– 183MHz 3.3ns clock access time  
– 166MHz 3.5ns clock access time  
– 150MHz 3.8ns clock access time  
– 133MHz 4.2ns clock access time  
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
systemdesigner,astheIDT71V3576/78canprovidefourcyclesofdata  
forasingleaddresspresentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress  
◆
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
◆
enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
3.3V I/O  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone  
cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode  
operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput  
datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The  
◆
◆
◆
◆
Packaged in a JEDEC Standard 100-lead plastic thin quad orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter  
flatpack (TQFP) and 119-lead ball grid array (BGA)  
and the LBOinput pin.  
The IDT71V3576/78 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance  
CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm  
100-leadthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119-leadballgrid  
array (BGA).  
PinDescriptionSummary  
0
17  
A -A  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
I/O  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
Chip Enable  
CE  
0
1
CS , CS  
Chip Selects  
Output Enable  
OE  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
Clock  
GW  
BWE  
(1)  
1,  
2,  
3,  
4
BW BW BW BW  
CLK  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
ZZ  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Sleep Mode  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
0
31  
P1  
P4  
I/O -I/O , I/O -I/O  
Data Input / Output  
Core Power, I/O Power  
Ground  
DD DDQ  
V
V
, V  
Supply  
Supply  
SS  
N/A  
5279 tbl 01  
NOTE:  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V3578.  
SEPTEMBER1999  
1
©1999IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-5279/3  
1234567...20

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与IDT71V3576S200BG8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V3576SA IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA133BG IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA133BG8 IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V3576SA133BGG IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, BGA-119
IDT71V3576SA133BGG8 IDT

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 		Standard SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3576SA133BGGI8 IDT

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 		Standard SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3576SA133BGI IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA133BQ IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA133BQ8 IDT

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 		Standard SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165
IDT71V3576SA133BQG IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

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