Datasheet > 存储 > SRAM> IDT71V3576SA133BQGI

IDT71V3576SA133BQGI

更新时间： 2024-11-25 13:08:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		计数器静态存储器
页数	文件大小	规格书
22页	286K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FBGA-165

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V3576SA133BQGI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	ROHS COMPLIANT, FBGA-165
针数：	165	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	4.2 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e1
长度：	15 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.035 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V3576SA133BQGI 数据手册

浏览型号IDT71V3576SA133BQGI的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IDT71V3576SA133BQGI的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IDT71V3576SA133BQGI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IDT71V3576SA133BQGI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IDT71V3576SA133BQGI的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IDT71V3576SA133BQGI的Datasheet PDF文件第7页

128K x 36, 256K x 18

IDT71V3576S

IDT71V3578S

IDT71V3576SA

IDT71V3578SA

3.3VSynchronousSRAMs

3.3VI/O,PipelinedOutputs

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Features

Description

◆

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

The IDT71V3576/78 are high-speed SRAMs organized as

128Kx36/256Kx18.TheIDT71V3576/78SRAMs containwrite,data,

addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate

aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof

thewritecycle.

◆

Supports high system speed:

CommercialandIndustrial:

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

◆

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite systemdesigner,astheIDT71V3576/78canprovidefourcyclesofdata

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1

compliant)

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball andthe LBO inputpin.

grid array (fBGA)

forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

◆

The IDT71V3576/78 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray

(BGA) and a 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A⁰-A¹⁷

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS⁰, CS¹

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

(1)

¹,

BW BW BW BW

²,

³,

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

TMS

Synchronous

N/A

TDI

TCK

Test Clock

TDO

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

TRST

I/O⁰-I/O³¹, I/O^P1-I/O^P4

V^DD, V^DDQ

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

V^SS

N/A

5279 tbl 01

NOTE:

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V3578.

JUNE 2003

DSC-5279/03

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与IDT71V3576SA133BQGI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V3576SA133BQGI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165
IDT71V3576SA133BQI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA133BQI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165
IDT71V3576SA133PF	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA133PFI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA150BG	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA150BG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3576SA150BGGI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119
IDT71V3576SA150BGI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA150BGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

与IDT71V3576SA133BQGI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V3576SA133BQGI

IDT71V3576SA133BQGI 技术参数

IDT71V3576SA133BQGI 数据手册

与IDT71V3576SA133BQGI相关器件

与IDT71V3576SA133BQGI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V3576SA133BQGI

IDT71V3576SA133BQGI 技术参数

IDT71V3576SA133BQGI 数据手册

与IDT71V3576SA133BQGI相关器件

与IDT71V3576SA133BQGI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？