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IDT71V3576SA150BGGI8

更新时间： 2024-11-12 03:14:07
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 622K
描述
Standard SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119

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IDT71V3576SA150BGGI8 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
最长访问时间：3.8 ns最大时钟频率 (fCLK)：150 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e1内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：36
湿度敏感等级：3端子数量：119
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA119,7X17,50
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.035 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.305 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOMBase Number Matches：1

IDT71V3576SA150BGGI8 数据手册

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128K x 36, 256K x 18  
IDT71V3576S  
IDT71V3578S  
IDT71V3576SA  
IDT71V3578SA  
3.3VSynchronousSRAMs  
3.3VI/O,PipelinedOutputs  
BurstCounter,SingleCycleDeselect  
Features  
Description  
◆
128K x 36, 256K x 18 memory configurations  
The IDT71V3576/78 are high-speed SRAMs organized as  
128Kx36/256Kx18.TheIDT71V3576/78SRAMs containwrite,data,  
addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate  
aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof  
thewritecycle.  
◆
Supports high system speed:  
CommercialandIndustrial:  
– 150MHz 3.8ns clock access time  
– 133MHz 4.2ns clock access time  
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
◆
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
◆
Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite systemdesigner,astheIDT71V3576/78canprovidefourcyclesofdata  
enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
3.3V I/O  
Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1  
compliant)  
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter  
flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball andthe LBO inputpin.  
grid array (fBGA)  
forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress  
counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone  
cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode  
operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput  
datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The  
◆
◆
◆
◆
◆
The IDT71V3576/78 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance  
CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm  
100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray  
(BGA) and a 165 fine pitch ball grid array (fBGA).  
PinDescriptionSummary  
A0-A17  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Output  
Input  
Input  
I/O  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
Chip Enable  
CE  
CS  
0
, CS  
1
Chip Selects  
Output Enable  
OE  
GW  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
Clock  
BWE  
BW , BW  
1
2
, BW  
3
, BW (1)  
4
CLK  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Test Mode Select  
Test Data Input  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
TMS  
TDI  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
TCK  
TDO  
Test Clock  
Test Data Output  
Synchronous  
Asynchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
JTAG Reset (Optional)  
Sleep Mode  
TRST  
ZZ  
I/O  
0
-I/O31, I/OP1-I/OP4  
DD, VDDQ  
SS  
Data Input / Output  
Core Power, I/O Power  
Ground  
V
Supply  
Supply  
V
N/A  
5279 tbl 01  
NOTE:  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V3578.  
JANUARY 2004  
1
©2004IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-5279/04  
1234567...22

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与IDT71V3576SA150BGGI8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V3576SA150BGI IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA150BGI8 IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V3576SA150BQ IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA150BQG IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
IDT71V3576SA150BQGI8 IDT

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 		Standard SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA165
IDT71V3576SA150BQI IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA150PF IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576SA150PFI IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576YS133BG IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576YS133BGI IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin

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