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IDT71V3576S133PFGI8

更新时间： 2024-11-24 15:45:23

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	496K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-100

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IDT71V3576S133PFGI8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.38
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	4.2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大待机电流：	0.035 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.26 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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128K x 36, 256K x 18

IDT71V3576S

IDT71V3578S

3.3VSynchronousSRAMs

3.3VI/O,PipelinedOutputs

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Description

Features

The IDT71V3576/78 are high-speed SRAMs organized as

128Kx36/256Kx18. TheIDT71V3576/78SRAMscontainwrite, data,

addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate

aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof

thewritecycle.

◆

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

◆

Supports high system speed:

CommercialandIndustrial:

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

systemdesigner,astheIDT71V3576/78canprovidefourcyclesofdata

forasingleaddresspresentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

and the LBO input pin.

◆

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O

◆

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad

flatpack (TQFP)

The IDT71V3576/78 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP).

PinDescriptionSummary

0-A17

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

0, CS

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

BW , BW

(1)

2, BW3, BW

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Asynchronous

Synchronous

N/A

I/O

-I/O31, I/OP1-I/OP4

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

DD, VDDQ

Supply

N/A

5279 tbl 01

NOTE:

1. BW³and BW4 are not applicable for the IDT71V3578.

TheIDTlogoisaregisteredtrademarkofIntegratedDeviceTechnology,Inc.

FEBRUARY 2012

DSC-5279/06

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V3576S133PFI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576S133PFI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V3576S133PFI9	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, PLASTIC, TQFP-100
IDT71V3576S150BG	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576S150BG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V3576S150BGG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, BGA-119
IDT71V3576S150BGG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V3576S150BGGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, BGA-119
IDT71V3576S150BGGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V3576S150BGI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin

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