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IDT71V35761YSA183BGI8

更新时间： 2024-11-14 19:45:27
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 512K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 3.3ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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IDT71V35761YSA183BGI8 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA-119
针数：119Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.81最长访问时间：3.3 ns
其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：183 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：119
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX36
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：BGA封装等效代码：BGA119,7X17,50
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.36 mm最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.34 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

IDT71V35761YSA183BGI8 数据手册

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128K x 36, 256K x 18  
IDT71V35761  
IDT71V35781  
3.3VSynchronousSRAMs  
3.3VI/O,PipelinedOutputs  
BurstCounter,SingleCycleDeselect  
Features  
Description  
◆
128K x 36, 256K x 18 memory configurations  
The IDT71V35761/781 are high-speed SRAMs organized as  
128Kx36/256Kx18.TheIDT71V35761/781SRAMscontainwrite,data,  
addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate  
aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof  
thewritecycle.  
◆
Supports high system speed:  
Commercial:  
– 200MHz 3.1ns clock access time  
CommercialandIndustrial:  
– 183MHz 3.3ns clock access time  
– 166MHz 3.5ns clock access time  
LBO input selects interleaved or linear burst mode  
Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe  
systemdesigner,astheIDT71V35761/81canprovidefourcyclesofdata  
forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress  
◆
◆
Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe  
enable (BWE), and byte writes (BWx)  
3.3V core power supply  
Power down controlled by ZZ input  
3.3V I/O  
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter  
flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball andthe LBO inputpin.  
grid array  
accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone  
cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode  
operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput  
datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The  
◆
◆
◆
◆
TheIDT71V35761/781SRAMsutilizeIDT’slatesthigh-performance  
CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm  
100-pin thinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray  
(BGA) and 165 fine pitch ball grid array.  
PinDescriptionSummary  
0
17  
A -A  
Address Inputs  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
Input  
I/O  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Asynchronous  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
N/A  
Chip Enable  
CE  
0
1
CS , CS  
Chip Selects  
Output Enable  
OE  
Global Write Enable  
Byte Write Enable  
Individual Byte Write Selects  
Clock  
GW  
BWE  
(1)  
1,  
2,  
3,  
4
BW BW BW BW  
CLK  
ADV  
ADSC  
ADSP  
LBO  
Burst Address Advance  
Address Status (Cache Controller)  
Address Status (Processor)  
Linear / Interleaved Burst Order  
Sleep Mode  
Synchronous  
Synchronous  
Synchronous  
DC  
ZZ  
Asynchronous  
Synchronous  
N/A  
0
31  
P1  
P4  
I/O -I/O , I/O -I/O  
Data Input / Output  
Core Power, I/O Power  
Ground  
DD DDQ  
V , V  
Supply  
Supply  
SS  
V
N/A  
5301 tbl 01  
NOTE:  
1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V35781.  
OCTOBER 2000  
1
©2000IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
DSC-5301/01  
1234567...23

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与IDT71V35761YSA183BGI8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT71V35761YSA183BQ IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761YSA183BQI IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761YSA183PF IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761YSA183PFI IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761YSA200BG IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761YSA200BGG IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, GREEN, BGA-119
IDT71V35761YSA200BGG8 IDT

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 		Cache SRAM, 128KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, GREEN, BGA-119
IDT71V35761YSA200BGI IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761YSA200BQ IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V35761YSA200BQI IDT

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 		128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin

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