Datasheet > IDT71V3576S133BG8

IDT71V3576S133BG8

更新时间： 2024-11-21 20:10:47

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	507K
描述
Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V3576S133BG8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	BGA-119
针数：	119	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.83	最长访问时间：	4.2 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B119
JESD-609代码：	e0	长度：	22 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	CACHE SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	119
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX36
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA119,7X17,50
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.36 mm	最大待机电流：	0.03 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.25 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式：	BALL	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

IDT71V3576S133BG8 数据手册

浏览型号IDT71V3576S133BG8的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IDT71V3576S133BG8的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IDT71V3576S133BG8的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IDT71V3576S133BG8的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IDT71V3576S133BG8的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IDT71V3576S133BG8的Datasheet PDF文件第7页

128K x 36, 256K x 18

IDT71V3576

IDT71V3578

3.3VSynchronousSRAMs

3.3VI/O,PipelinedOutputs

BurstCounter,SingleCycleDeselect

Features

Description

◆

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

The IDT71V3576/78 are high-speed SRAMs organized as

128Kx36/256Kx18.TheIDT71V3576/78SRAMs containwrite,data,

addressandcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerate

aself-timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendof

thewritecycle.

◆

Supports high system speed:

CommercialandIndustrial:

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

◆

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite systemdesigner,astheIDT71V3576/78canprovidefourcyclesofdata

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

3.3V I/O

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

◆

grid array (fBGA)

orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

andthe LBO inputpin.

The IDT71V3576/78 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119ballgridarray

(BGA) and a 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A -A

Address Inputs

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS , CS

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

(1)

¹,

²,

³,

BW BW BW BW

CLK

ADV

ADSC

ADSP

LBO

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Sleep Mode

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

I/O -I/O , I/O -I/O

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

DD DDQ

V , V

Supply

N/A

5279 tbl 01

NOTE:

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V3578.

OCTOBER 2000

DSC-5279/01

12 3 4 5 6 7...23

中文翻译

下载PDF

与IDT71V3576S133BG8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V3576S133BGG	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, BGA-119
IDT71V3576S133BGG8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V3576S133BGGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, ROHS COMPLIANT, BGA-119
IDT71V3576S133BGGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V3576S133BGI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576S133BGI8	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
IDT71V3576S133BQ	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576S133BQGI	IDT	获取价格	Cache SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165, ROHS COMPLIANT, FBGA-165
IDT71V3576S133BQI	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 3.3V I/O, Pipelined Outputs Burst Counter, Sin
IDT71V3576S133BQI8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA165

与IDT71V3576S133BG8相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V3576S133BG8

IDT71V3576S133BG8 技术参数

IDT71V3576S133BG8 数据手册

与IDT71V3576S133BG8相关器件

与IDT71V3576S133BG8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V3576S133BG8

IDT71V3576S133BG8 技术参数

IDT71V3576S133BG8 数据手册

与IDT71V3576S133BG8相关器件

与IDT71V3576S133BG8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？