Datasheet > 存储 > SRAM> IDT71V2578YSA150BQI

IDT71V2578YSA150BQI

更新时间： 2024-11-24 22:08:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		计数器存储内存集成电路静态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
22页	283K
描述
128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT71V2578YSA150BQI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	FBGA-165
针数：	165	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	3.8 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：	150 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e0
长度：	15 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	CACHE SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA165,11X15,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.035 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.305 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	13 mm
Base Number Matches：	1

IDT71V2578YSA150BQI 数据手册

浏览型号IDT71V2578YSA150BQI的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IDT71V2578YSA150BQI的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IDT71V2578YSA150BQI的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IDT71V2578YSA150BQI的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IDT71V2578YSA150BQI的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IDT71V2578YSA150BQI的Datasheet PDF文件第7页

128K X 36, 256K X 18

IDT71V2576S

IDT71V2578S

IDT71V2576SA

IDT71V2578SA

3.3VSynchronousSRAMs

2.5V I/O, Pipelined Outputs,

Burst Counter, Single Cycle Deselect

Features

Description

◆

128K x 36, 256K x 18 memory configurations

The IDT71V2576/78 are high-speed SRAMs organized as 128K x

36/256Kx18.TheIDT71V2576/78SRAMscontainwrite,data,address

andcontrolregisters. InternallogicallowstheSRAMtogenerateaself-

timedwritebaseduponadecisionwhichcanbeleftuntiltheendofthewrite

cycle.

◆

Supports high system speed:

CommercialandIndustrial:

– 150MHz 3.8ns clock access time

– 133MHz 4.2ns clock access time

LBO input selects interleaved or linear burst mode

◆

Theburstmodefeatureoffersthehighestlevelofperformancetothe

◆

Self-timedwritecyclewithglobalwritecontrol(GW),bytewrite systemdesigner,astheIDT71V2576/78canprovidefourcyclesofdata

enable (BWE), and byte writes (BWx)

3.3V core power supply

Power down controlled by ZZ input

2.5V I/O

Optional - Boundary Scan JTAG Interface (IEEE 1149.1 operationisselected(ADV=LOW),thesubsequentthreecyclesofoutput

compliant) datawillbeavailabletotheuseronthenextthreerisingclockedges. The

Packaged in a JEDEC Standard 100-pin plastic thin quad orderofthesethreeaddressesaredefinedbytheinternalburstcounter

flatpack(TQFP),119ballgridarray(BGA)and165finepitchball andthe LBO inputpin.

grid array (fBGA)

forasingleaddress presentedtotheSRAM. Aninternalburstaddress

counteracceptsthefirstcycleaddressfromtheprocessor,initiatingthe

accesssequence.Thefirstcycleofoutputdatawillbepipelinedforone

cycle before it is available on the next rising clock edge. If burst mode

◆

The IDT71V2576/78 SRAMs utilize IDT’s latest high-performance

CMOSprocessandarepackagedinaJEDECstandard14mmx20mm

100-pinthinplasticquadflatpack(TQFP)aswellasa119 ballgridarray

(BGA) and 165 fine pitch ball grid array (fBGA).

PinDescriptionSummary

A⁰-A¹⁷

Address Inputs

Input

Output

Input

I/O

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

Chip Enable

CS⁰, CS¹

Chip Selects

Output Enable

Global Write Enable

Byte Write Enable

Individual Byte Write Selects

Clock

BWE

(1)

BW¹, BW², BW³, BW⁴

CLK

Burst Address Advance

Address Status (Cache Controller)

Address Status (Processor)

Linear / Interleaved Burst Order

Test Mode Select

Test Data Input

Synchronous

ADV

ADSC

ADSP

LBO

TMS

Synchronous

N/A

TDI

TCK

Test Clock

TDO

Test Data Output

Synchronous

Asynchronous

Synchronous

N/A

JTAG Reset (Optional)

Sleep Mode

TRST

I/O⁰-I/O³¹, I/O^P1-I/O^P4

V^DD, V^DDQ

VSS

Data Input / Output

Core Power, I/O Power

Ground

Supply

N/A

4876 tbl 01

NOTE:

JUNE 2003

1. BW3 and BW4 are not applicable for the IDT71V2578.

DSC-4876/09

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与IDT71V2578YSA150BQI相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71V2578YSA150PF	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2578YSA150PFI	IDT	获取价格	128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Si
IDT71V2579	IDT	获取价格	128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Flow-Through Outputs Burst Counter,
IDT71V257975PF	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100
IDT71V257980BG	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119
IDT71V257980BGI	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA119
IDT71V257980BQ	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 8ns, CMOS, PBGA165
IDT71V257985BG	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119
IDT71V257985BQ	IDT	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 8.5ns, CMOS, PBGA165
IDT71V2579S	IDT	获取价格	128K x 36,256K x 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O,Flow-Through Outputs Burst Counter,Sin

与IDT71V2578YSA150BQI相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V2578YSA150BQI

IDT71V2578YSA150BQI 技术参数

IDT71V2578YSA150BQI 数据手册

与IDT71V2578YSA150BQI相关器件

与IDT71V2578YSA150BQI相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT71V2578YSA150BQI

IDT71V2578YSA150BQI 技术参数

IDT71V2578YSA150BQI 数据手册

与IDT71V2578YSA150BQI相关器件

与IDT71V2578YSA150BQI相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？