是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 8 ns | 其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX36 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71V2557S80PFI | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V2557S80PFI8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V2557S80PFI9 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8ns, CMOS, PQFP100, PLASTIC, TQFP-100 | |
IDT71V2557S85BG | ETC |
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SYNC SRAM|128KX36|CMOS|BGA|119PIN|PLASTIC | |
IDT71V2557S85BG8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 | |
IDT71V2557S85BGG | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 | |
IDT71V2557S85BGGI | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 | |
IDT71V2557S85BGI8 | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 | |
IDT71V2557S85BQG | IDT |
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ZBT SRAM, 128KX36, 8.5ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, FBGA-165 | |
IDT71V2557S85PF | ETC |
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SYNC SRAM|128KX36|CMOS|QFP|100PIN|PLASTIC |