是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.07 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.1475 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最小待机电流: | 2 V |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IDT7164L70DB | IDT |
功能相似 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7164L70TDB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L70TP | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L70TPB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L70XEB | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT7164L70Y | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L70YB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L85D | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L85DB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) | |
IDT7164L85EB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 | |
IDT7164L85L28B | IDT |
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Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CQCC28, LCC-28 |