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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFJ |
| 包装说明： | LCC-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.69 |
| 最长访问时间： | 85 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-CQCC-N32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13.97 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | QCCN | 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 3.048 mm |
| 最大待机电流： | 0.0002 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.12 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 11.43 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7164L85L32M | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CQCC32 |
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| IDT7164L85P | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
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| IDT7164L85PB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
|
| IDT7164L85TB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28 |
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| IDT7164L85TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, THIN, SIDE BRAZED, DIP-28 |
|
| IDT7164L85TD | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
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| IDT7164L85TDB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
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| IDT7164L85TP | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
|
| IDT7164L85TPB | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT) |
|
| IDT7164L85XEB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 85ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28 |
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