是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.18 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J68 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 24.2062 mm | 内存密度: | 32768 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 68 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC68,1.0SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.57 mm |
最大待机电流: | 0.0015 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.25 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 24.2062 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7143LA35J8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
IDT7143LA35JB | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7143LA35JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
IDT7143LA35JGB | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7143LA35JGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
IDT7143LA35JI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7143LA35L68B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, CQCC68, LCC-68 | |
IDT7143LA35PF | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS | |
IDT7143LA35PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | |
IDT7143LA35PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS |