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IDT7143LA35L68B

更新时间: 2024-11-26 14:22:23
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 407K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, CQCC68, LCC-68

IDT7143LA35L68B 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCN,针数:68
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.68
Is Samacsys:N最长访问时间:35 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNJESD-30 代码:S-CQCC-N68
长度:24.13 mm内存密度:32768 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:1功能数量:1
端口数量:2端子数量:68
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX16
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.048 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:24.13 mm
Base Number Matches:1

IDT7143LA35L68B 数据手册

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