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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | QFF, QFL48,.75SQ | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.35 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | S-CQFP-F48 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 2048 words |
| 字数代码： | 2000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 2KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码： | QFF |
| 封装等效代码： | QFL48,.75SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 |
| 座面最大高度： | 2.7432 mm | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.17 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7142LA35FI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT7142LA35J | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7142LA35JB | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7142LA35JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL |
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| IDT7142LA35JG8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT7142LA35JGB | IDT |
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暂无描述 |
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| IDT7142LA35JI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT7142LA35L48 | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7142LA35L48B | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7142LA35L48BG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, 0.570 X 0.570 INCH, 0.680 INCH HEIGHT, LCC-48 |
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