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IDT7142LA45L48B

更新时间: 2024-11-25 20:57:03
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
15页 470K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC48, LCC-48

IDT7142LA45L48B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:LCC-48针数:48
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.45
最长访问时间:45 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:S-CQCC-N48
JESD-609代码:e0长度:14.3002 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:2端子数量:48
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC48,.56SQ,40封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:3.048 mm最大待机电流:0.004 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.185 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:NO LEAD端子节距:1.016 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:14.3002 mmBase Number Matches:1

IDT7142LA45L48B 数据手册

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