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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP48,.6 | 针数： | 48 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.08 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER DOWN |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T48 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 61.849 mm |
| 内存密度： | 16384 bit | 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 2KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP48,.6 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大待机电流： | 0.004 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.17 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7142LA35PI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT7142LA45C | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| IDT7142LA45CB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |
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| IDT7142LA45F | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 |
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| IDT7142LA45FB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 |
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| IDT7142LA45FBG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 |
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| IDT7142LA45J | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT7142LA45JG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT7142LA45JG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT7142LA45L48 | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM |
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