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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.08 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 19.1262 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.57 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 19.1262 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7142LA35JGB | IDT |
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暂无描述 |
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| IDT7142LA35JI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT7142LA35L48 | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7142LA35L48B | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7142LA35L48BG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, 0.570 X 0.570 INCH, 0.680 INCH HEIGHT, LCC-48 |
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| IDT7142LA35L48G | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, 0.570 X 0.570 INCH, 0.680 INCH HEIGHT, GREEN, MS |
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| IDT7142LA35L48GB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC48, 0.570 X 0.570 INCH, 0.680 INCH HEIGHT, GREEN, MS |
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| IDT7142LA35L48I | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS |
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| IDT7142LA35L52 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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| IDT7142LA35L52B | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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