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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | QFP, QFP64,.47SQ,20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.25 |
| 最长访问时间： | 20 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G64 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 8192 bit | 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 1024 words | 字数代码： | 1000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QFP | 封装等效代码： | QFP64,.47SQ,20 |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.0015 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.2 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7140LA20TFGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140LA20TFGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140LA25C | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140LA25CB | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT7140LA25CB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 |
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| IDT7140LA25CG | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140LA25CGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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| IDT7140LA25CGB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 |
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| IDT7140LA25CGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
|
| IDT7140LA25CGI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 |
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