是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | QFF, QFL48,.75SQ | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.02 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CQFP-F48 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QFF | 封装等效代码: | QFL48,.75SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 2.7432 mm | 最大待机电流: | 0.0015 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.17 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | FLAT | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7140LA25F8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7140LA25FB | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140LA25FB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7140LA25FG | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25FG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7140LA25FGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25FGB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7140LA25FGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25FGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7140LA25FI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48, CERAMIC, FP-48 |