是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP48,.6 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.03 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T48 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 60.96 mm | 内存密度: | 8192 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP48,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.826 mm |
最大待机电流: | 0.0015 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7140LA25CGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25CGB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7140LA25CGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25CGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7140LA25CI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, SIDE BRAZED, DIP-48 | |
IDT7140LA25CI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7140LA25F | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140LA25F8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7140LA25FB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140LA25FB8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CQFP48 |