是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | SIDE BRAZED, DIP-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.64 | 最长访问时间: | 25 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-CDIP-T48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 60.96 mm |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1024 words | 字数代码: | 1000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP48,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.826 mm | 最大待机电流: | 0.0015 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.17 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7140LA25CB | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7140LA25CB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7140LA25CG | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25CGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25CGB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7140LA25CGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7140LA25CGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7140LA25CI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48, SIDE BRAZED, DIP-48 | |
IDT7140LA25CI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 25ns, CMOS, CDIP48 | |
IDT7140LA25F | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |