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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | PLASTIC, LCC-52 | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.27 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.1262 mm | 内存密度： | 32768 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4KX8 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC52,.8SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.26 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 19.1262 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71342LA25L52 | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM |
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| IDT71342LA25PF | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE |
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| IDT71342LA25PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
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| IDT71342LA25PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
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| IDT71342LA25PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
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| IDT71342LA25PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
|
| IDT71342LA25PFGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
|
| IDT71342LA25PFI | IDT |
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HIGH SPEED 4K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE |
|
| IDT71342LA25PFI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 25ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
|
| IDT71342LA35J | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE |
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