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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.48 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 19.1262 mm | 内存密度： | 32768 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 52 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm | 最小待机电流： | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 19.1262 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT71342LA35JG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT71342LA35JGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 |
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| IDT71342LA35JI | IDT |
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HIGH SPEED 4K X 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE |
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| IDT71342LA35L52 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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| IDT71342LA35L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 |
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| IDT71342LA35PF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 4K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH SEMAPHORE |
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| IDT71342LA35PF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
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| IDT71342LA35PF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
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| IDT71342LA35PFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
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| IDT71342LA35PFGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
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