是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | LCC |
包装说明: | QCCN, LCC48,.56SQ,40 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.21 |
最长访问时间: | 35 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER DOWN |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CQCC-N48 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 14.3002 mm |
内存密度: | 16384 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 48 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 2KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | QCCN | 封装等效代码: | LCC48,.56SQ,40 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38535 | 座面最大高度: | 3.048 mm |
最大待机电流: | 0.004 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | NO LEAD |
端子节距: | 1.016 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14.3002 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7132LA35L48I | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS | |
IDT7132LA35L52 | ETC |
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x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7132LA35L52B | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52 | |
IDT7132LA35P | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7132LA35PB | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7132LA35PG | IDT |
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暂无描述 | |
IDT7132LA35PGB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 2.430 INCH, 0.180 INCH HEIGHT, GREEN, PL | |
IDT7132LA35PI | IDT |
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HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS | |
IDT7132LA45C | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7132LA45CB | IDT |
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Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 |