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IDT7132LA45CB

更新时间： 2024-11-16 20:57:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	470K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

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IDT7132LA45CB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.47
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	45 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CDIP-T48	JESD-609代码：	e0
长度：	60.96 mm	内存密度：	16384 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	48	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP48,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	4.826 mm
最大待机电流：	0.004 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.185 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7132LA45F	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7132LA45FB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7132LA45FBG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7132LA45J	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7132LA45J8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT7132LA45JG	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT7132LA45L48	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
IDT7132LA45L48B	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7132LA45L52	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT7132LA45L52B	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52