是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP48,.6 | 针数: | 48 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.1 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T48 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 61.849 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 48 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP48,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | MIL-PRF-38535 |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.004 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.17 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7132LA35PI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS | |
IDT7132LA45C | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7132LA45CB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48 | |
IDT7132LA45F | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7132LA45FB | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7132LA45FBG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48 | |
IDT7132LA45J | ETC |
获取价格 |
x8 Dual-Port SRAM | |
IDT7132LA45J8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT7132LA45JG | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52 | |
IDT7132LA45L48 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC48, LCC-48 |