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IDT71321LA30L52B

更新时间： 2024-11-04 20:20:47

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
15页	476K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 30ns, CMOS, CQCC52, LCC-52

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IDT71321LA30L52B 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	LCC-52	针数：	52
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.74
最长访问时间：	30 ns	其他特性：	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-CQCC-N52
JESD-609代码：	e0	长度：	19.05 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	52
字数：	2048 words	字数代码：	2000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	2KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC52,.75SQ	封装形状：	SQUARE
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	2.2098 mm	最大待机电流：	0.004 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	19.05 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71321LA35J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA35J8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC,
IDT71321LA35JG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PL
IDT71321LA35JG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT71321LA35JI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA35L52	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT71321LA35L52B	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT71321LA35PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA35PF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64
IDT71321LA35PF9	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-64