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IDT71321LA35TFG8

更新时间： 2024-11-04 19:27:27

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
17页	719K
描述
Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, STQFP-64

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IDT71321LA35TFG8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LFQFP, QFP64,.47SQ,20	针数：	64
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.16
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PQFP-G64
JESD-609代码：	e3	长度：	10 mm
内存密度：	16384 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	64	字数：	2048 words
字数代码：	2000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFQFP
封装等效代码：	QFP64,.47SQ,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.0015 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...17

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71321LA35TFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, 10 X 10 MM, 1.40 MM HEIGHT, STQFP-64
IDT71321LA35TFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA45J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA45J8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT71321LA45L52	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT71321LA45L52B	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, CQCC52, LCC-52
IDT71321LA45PF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA45PFG8	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64
IDT71321LA45TF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS
IDT71321LA55J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 2K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM WITH INTERRUPTS