Datasheet > IDT7130LA35TFGB8

IDT7130LA35TFGB8

更新时间： 2024-11-11 14:00:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	155K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQFP64

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7130LA35TFGB8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PQFP-G64	JESD-609代码：	e3
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端口数量：	2	端子数量：	64
字数：	1024 words	字数代码：	1000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	1KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP64,.47SQ,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	最大待机电流：	0.004 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

IDT7130LA35TFGB8 数据手册

IDT7130SA/LA

IDT7140SA/LA

HIGH SPEED

1K X 8 DUAL-PORT

STATIC SRAM

Features

◆

On-chip port arbitration logic (IDT7130 Only)

High-speed access

◆

BUSY output flag on IDT7130; BUSY input on IDT7140

INT flag for port-to-port communication

– Commercial: 20/25/35/55/100ns (max.)

– Industrial: 25/55/100ns (max.)

– Military: 25/35/55/100ns (max.)

Fully asynchronous operation from either port

Battery backup operation–2V data retention (LA only)

TTL-compatible, single 5V ±10% power supply

Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Available in 48-pin DIP, LCC and Ceramic Flatpack, 52-pin

PLCC, and 64-pin STQFP and TQFP

Green parts available, see ordering information

◆

Low-power operation

– IDT7130/IDT7140SA

— Active: 550mW (typ.)

— Standby: 5mW (typ.)

– IDT7130/IDT7140LA

— Active: 550mW (typ.)

— Standby: 1mW (typ.)

◆

MASTER IDT7130 easily expands data bus width to 16-or-

more-bits using SLAVE IDT7140

Functional Block Diagram

OER

OEL

R/W

I/O0L- I/O7L

I/O0R-I/O7R

(1,2)

I/O

Control

I/O

Control

(1,2)

BUSY

BUSYR

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

and

INTERRUPT

LOGIC

R/W

OEL

R/W

(2)

INT

INTL

2689 drw 01

NOTES:

1. IDT7130 (MASTER): BUSY is open drain output and requires pullup resistor.

IDT7140 (SLAVE): BUSY is input.

2. Open drain output: requires pullup resistor.

APRIL 2006

DSC-2689/13

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与IDT7130LA35TFGB8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7130LA35TFGI	IDT	获取价格	HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130LA35XC	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CDIP48
IDT7130LA45C	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7130LA45CB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
IDT7130LA45F	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7130LA45FB	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CQFP48, QFP-48
IDT7130LA45J	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52
IDT7130LA45L48	ETC	获取价格	x8 Dual-Port SRAM
IDT7130LA45L48B	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CQCC48, LCC-48
IDT7130LA45L48G	IDT	获取价格	Multi-Port SRAM, 1KX8, 45ns, CMOS, CQCC48, LCC-48

与IDT7130LA35TFGB8相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT7130LA35TFGB8

IDT7130LA35TFGB8 技术参数

IDT7130LA35TFGB8 数据手册

与IDT7130LA35TFGB8相关器件

与IDT7130LA35TFGB8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT7130LA35TFGB8

IDT7130LA35TFGB8 技术参数

IDT7130LA35TFGB8 数据手册

与IDT7130LA35TFGB8相关器件

与IDT7130LA35TFGB8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？