是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.6 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 55 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-XDIP-T48 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 8192 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 48 | 字数: | 1024 words |
字数代码: | 1000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP48,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.004 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.14 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT7130LA55CI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CDIP48, SIDE BRAZED, DIP-48 | |
IDT7130LA55F | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7130LA55F8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7130LA55FB | IDT |
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HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
IDT7130LA55FG | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7130LA55FG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7130LA55FGB | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7130LA55FGB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQFP48 | |
IDT7130LA55FGI | IDT |
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HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM | |
IDT7130LA55FGI8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 1KX8, 55ns, CMOS, CQFP48 |