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IDT71256L120L28B

更新时间： 2024-11-16 19:12:43

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	254K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

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IDT71256L120L28B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QLCC	包装说明：	LCC-28
针数：	28	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-CQCC-N28	JESD-609代码：	e0
长度：	13.97 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC28,.35X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	3.048 mm	最大待机电流：	0.0002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.125 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	宽度：	8.89 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT71256L120L28B8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, CQCC28, LCC-28
IDT71256L120L32B	ETC	获取价格	x8 SRAM
IDT71256L120L32BG8	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT71256L120LB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256L120LBG	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
IDT71256L120P	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256L120PB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256L120TD	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256L120TDB	IDT	获取价格	CMOS STATIC RAM 256K (32K x 8-BIT)
IDT71256L120XEB	IDT	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, CDFP28, CERPACK-28