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IDT71256L150L28B

更新时间: 2024-11-16 19:12:43
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艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 254K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS, CQCC28, LCC-28

IDT71256L150L28B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QLCC包装说明:LCC-28
针数:28Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.73最长访问时间:150 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-CQCC-N28
JESD-609代码:e0长度:13.97 mm
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC28,.35X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B座面最大高度:3.048 mm
最大待机电流:0.0002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.125 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:8.89 mmBase Number Matches:1

IDT71256L150L28B 数据手册

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