是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ32,.34 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.32 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20.96 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ32,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.759 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.14 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 7.62 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71024S20TYI | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT71024S20TYI8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71024S20Y | IDT |
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CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT) | |
IDT71024S20Y8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71024S20YG | IDT |
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CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) | |
IDT71024S20YG8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71024S20YGI | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71024S20YGI8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71024S20YI | IDT |
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CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT) | |
IDT71024S20YI8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |