是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | SOJ, SOJ32,.44 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.19 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 20 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 20.96 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOJ | 封装等效代码: | SOJ32,.44 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.683 mm | 最大待机电流: | 0.01 A |
最小待机电流: | 4.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.14 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT71024S20YG8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71024S20YGI | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71024S20YGI8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71024S20YI | IDT |
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CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT) | |
IDT71024S20YI8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
IDT71024S25DB | ETC |
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x8 SRAM | |
IDT71024S25LB | IDT |
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CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT) | |
IDT71024S25LB8 | IDT |
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Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, 0.400 X 0.820 INCH, LCC-32 | |
IDT71024S25LBG8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDSO32, 0.400 X 0.820 INCH, LCC-32 | |
IDT71024S70 | IDT |
获取价格 |
CMOS STATIC RAM 1 MEG (128K x 8-BIT) |