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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | TQFP-128 | 针数： | 128 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.32 |
| 最长访问时间： | 15 ns | 其他特性： | PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G128 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 128 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LFQFP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V9279S15PRFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9279S6PRF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9279S6PRF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 15ns, CMOS, PQFP128, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-128 |
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| IDT70V9279S6PRFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9279S7PRF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9279S7PRFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9279S7PRFI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 32KX16, 7.5ns, CMOS, PQFP128 |
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| IDT70V9279S9PRF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9279S9PRFGI | IDT |
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暂无描述 |
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| IDT70V9279S9PRFI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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