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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LFQFP, QFP128,.63X.87,20 | 针数： | 128 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.27 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G128 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 128 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32KX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFQFP |
| 封装等效代码： | QFP128,.63X.87,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 最小待机电流： | 3 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.22 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V927S25PRF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 25ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 |
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| IDT70V927S25PRF9 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 25ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 |
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| IDT70V927S25PRFG8 | IDT |
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暂无描述 |
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| IDT70V927S30PRF | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 30ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 |
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| IDT70V927S30PRF8 | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX16, 30ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 |
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| IDT70V927S30PRFG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 32KX16, 30ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 |
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| IDT70V927S30PRFG8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 32KX16, 30ns, CMOS, PQFP128, TQFP-128 |
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| IDT70V9289L | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9289L12PF | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 64K x18/x16 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V9289L12PFG8 | IDT |
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Application Specific SRAM, 64KX16, 25ns, CMOS, PQFP100 |
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