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IDT70V7599S133BF

更新时间： 2024-10-28 23:01:07

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艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
22页	491K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

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IDT70V7599S133BF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	LFBGA, BGA208,17X17,32	针数：	208
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.21
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	15 ns
其他特性：	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PBGA-B208
JESD-609代码：	e0	长度：	15 mm
内存密度：	4718592 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	36	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	208	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装等效代码：	BGA208,17X17,32	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.7 mm
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	3.15 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.645 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn63Pb37)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

IDT70V7599S133BF 数据手册

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36

SYNCHRONOUS

BANK-SWITCHABLE

IDT70V7599S

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timedwriteallowsfastcycletime

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply

for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V

(±100mV) power supply for I/Os and control signals on

each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 166MHz and 133MHz

Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),

208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball

GridArray(BGA)

◆

128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported

SRAM Architecture

– 64 independent 2K x 36 banks

– 4 megabits of memory on chip

Bank access controlled via bank address pins

◆

High-speed data access

– Commercial:3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

◆

additional logic

Full synchronous operation on both ports

◆

– 5ns cycle time, 200MHzoperation(14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

◆

Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1

FunctionalBlockDiagram

PL/FT^L

OPT^L

PL/FT^R

OPT^R

CLK^L

CLK^R

ADS^L

ADS^R

CNTEN^L

REPEAT^L

R/W^L

CNTEN^R

REPEAT^R

R/W^R

CE^0R

CE^1R

BE^3R

BE^2R

BE^1R

BE^0R

OE^R

MUX

CE^0L

CE^1L

BE^3L

BE^2L

BE^1L

BE^0L

OE^L

CONTROL

LOGIC

CONTROL

LOGIC

2Kx36

MEMORY

ARRAY

(BANK 0)

MUX

I/O

CONTROL

I/O

I/O^0L-35L

I/O^0R-35R

CONTROL

2Kx36

MEMORY

ARRAY

A^10R

(BANK 1)

A^10L

A^0L

ADDRESS

DECODE

A^0R

MUX

BA^5R

BA^4R

BA^5L

BA^4L

BA^3R

BA^2R

BA^1R

BA^0R

BANK

DECODE

BANK

DECODE

BA^1L

BA^0L

MUX

2Kx36

MEMORY

ARRAY

(BANK 63)

NOTE:

MUX

1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM

core instead of the traditional dual-port SRAM core.

As a result, it has unique operating characteristics.

Please refer to the functional description on page 19

for details.

5626 drw 01

TMS

TCK

TRST

TDI

TDO

JTAG

DECEMBER 2002

DSC 5626/4

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V7599S-133BF	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7599S133BF8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, F
IDT70V7599S133BFG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, PBGA208, FBGA-208
IDT70V7599S133BFGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-2
IDT70V7599S133BFGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, PBGA208, FBGA-208
IDT70V7599S133BFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7599S-133BFI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7599S133BFI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, F
IDT70V7599S133DR	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7599S-133DR	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.

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