Datasheet > IDT70V7599S133DR8

IDT70V7599S133DR8

更新时间： 2024-11-25 14:38:03

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	241K
描述
Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT70V7599S133DR8 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	FQFP,	针数：	208
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.34
最长访问时间：	15 ns	其他特性：	PIPELINED OR FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	S-PQFP-G208	JESD-609代码：	e0
长度：	28 mm	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	208	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FQFP	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.15 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	28 mm	Base Number Matches：	1

IDT70V7599S133DR8 数据手册

浏览型号IDT70V7599S133DR8的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号IDT70V7599S133DR8的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号IDT70V7599S133DR8的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号IDT70V7599S133DR8的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号IDT70V7599S133DR8的Datasheet PDF文件第6页

浏览型号IDT70V7599S133DR8的Datasheet PDF文件第7页

HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36

SYNCHRONOUS

IDT70V7599S

BANK-SWITCHABLE

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timedwriteallowsfastcycletime

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply

for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V

(±100mV) power supply for I/Os and control signals on

each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 166MHz and 133MHz

Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),

208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball

GridArray(BGA)

◆

128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported

SRAM Architecture

– 64 independent 2K x 36 banks

– 4 megabits of memory on chip

Bank access controlled via bank address pins

◆

High-speed data access

– Commercial:3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

◆

additional logic

Full synchronous operation on both ports

◆

– 5ns cycle time, 200MHzoperation(14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

◆

Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1

FunctionalBlockDiagram

PL/FT

OPT

CLK

ADS

CNTEN

REPEAT

R/W

CE0R

CE1R

BE3R

BE2R

BE1R

BE0R

OPT

CLK

ADS

CNTEN

REPEAT

R/W

MUX

CE0L

CE1L

BE3L

BE2L

BE1L

BE0L

CONTROL

LOGIC

CONTROL

LOGIC

2Kx36

MEMORY

ARRAY

(BANK 0)

OEL

OER

MUX

I/O

CONTROL

I/O

CONTROL

I/O0L-35L

I/O0R-35R

2Kx36

MEMORY

ARRAY

10R

(BANK 1)

10L

ADDRESS

DECODE

ADDRESS

DECODE

MUX

BA5R

BA4R

BA3R

BA2R

BA1R

BA0R

BA5L

BA4L

BA3L

BA2L

BA1L

BA0L

BANK

DECODE

BANK

DECODE

MUX

2Kx36

MEMORY

ARRAY

(BANK 63)

NOTE:

MUX

1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM

core instead of the traditional dual-port SRAM core.

As a result, it has unique operating characteristics.

Please refer to the functional description on page 19

for details.

5626 drw 01

TMS

TCK

TRST

TDI

TDO

JTAG

JANUARY 2004

DSC 5626/5

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与IDT70V7599S133DR8相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70V7599S133DRG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
IDT70V7599S133DRI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7599S-133DRI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7599S133DRI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208
IDT70V7599S166BC	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7599S-166BC	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7599S166BC8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-
IDT70V7599S166BCGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, PBGA256, BGA-256
IDT70V7599S166BCI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.
IDT70V7599S-166BCI	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.

与IDT70V7599S133DR8相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

42
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

57

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V7599S133DR8

IDT70V7599S133DR8 技术参数

IDT70V7599S133DR8 数据手册

与IDT70V7599S133DR8相关器件

与IDT70V7599S133DR8相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT70V7599S133DR8

IDT70V7599S133DR8 技术参数

IDT70V7599S133DR8 数据手册

与IDT70V7599S133DR8相关器件

与IDT70V7599S133DR8相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？