5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IDT70V659S12BFGI8
IDT70V659S12BFGI8 PDF预览

IDT70V659S12BFGI8

更新时间： 2024-10-29 14:30:03
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
24页 190K
描述
Dual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208

阅读下载

中文翻译

获取价格

IDT70V659S12BFGI8 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA208,17X17,32针数：208
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.13
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PBGA-B208
JESD-609代码：e1长度：15 mm
内存密度：4718592 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：208字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA208,17X17,32封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.015 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.515 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：15 mm
Base Number Matches：1

IDT70V659S12BFGI8 数据手册

 浏览型号IDT70V659S12BFGI8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT70V659S12BFGI8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT70V659S12BFGI8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT70V659S12BFGI8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT70V659S12BFGI8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT70V659S12BFGI8的Datasheet PDF文件第7页 
HIGH-SPEED 3.3V  
128/64/32K x 36  
IDT70V659/58/57S  
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT  
STATIC RAM  
Š
Features  
◆
◆
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
access of the same memory location  
High-speed access  
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1  
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for  
core  
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack, 208-ball fine  
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
◆
◆
– Commercial:10/12/15ns (max.)  
– Industrial:12/15ns (max.)  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
external logic  
IDT70V659/58/57 easily expands data bus width to 72 bits  
or more using the Master/Slave select when cascading  
more than one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
Busy and Interrupt Flags  
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
On-chip port arbitration logic  
Green parts available, see ordering information  
Functional Block Diagram  
BE3L  
BE3R  
BE2R  
BE2L  
BE1L  
BE0L  
BE1R  
BE0R  
R/WL  
R/WR  
B B B B B B B B  
E E E E E E E E  
0
L
1
L
2
L
3
L
3
2
1 0  
CE0L  
CE1L  
CE0R  
CE1R  
R R R R  
OEL  
OER  
Dout0-8_L  
Dout9-17_L  
Dout18-26_L  
Dout27-35_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_R  
Dout18-26_R  
Dout27-35_R  
128/64/32K x 36  
MEMORY  
ARRAY  
I/O0L- I/O35L  
Di n_L  
Di n_R  
I/O0R -I/O35R  
(1)  
A
16R  
(1)  
Address  
Decoder  
A
16 L  
Address  
Decoder  
ADDR_L  
ADDR_R  
A0R  
A0L  
CE0L  
CE1L  
ARBITRATION  
CE0R  
CE1R  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
OE  
L
OE  
R
R/W  
L
R/W  
R
(2,3)  
L
(2,3)  
R
BUSY  
SEM  
BUSY  
SEM  
M/S  
L
R
(3)  
(3)  
INTL  
INT  
R
TMS  
TCK  
TDI  
JTAG  
TDO  
TRST  
NOTES:  
4869 drw 01  
1. A16 is a NC for IDT70V658. Also, Addresses A16 and A15 are NC's for IDT70V657.  
2. BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output when it is a Master (M/S=VIH).  
3. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
OCTOBER 2008  
1
DSC-4869/7  
©2008IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...24

中文翻译

下载PDF

与IDT70V659S12BFGI8相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70V659S12BFI IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V659S12BFI8 IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 128KX36, 12ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, F
IDT70V659S12DR IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V659S12DRI IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V659S15BC IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V659S15BC8 IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-
IDT70V659S15BCG IDT

获取价格

 		Dual-Port SRAM, 128KX36, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREE
IDT70V659S15BCI IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V659S15BF IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V659S15BFI IDT

获取价格

 		HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

与IDT70V659S12BFGI8相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证