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IDT70V658S12DRI PDF预览

IDT70V658S12DRI

更新时间： 2024-10-28 23:01:07
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
23页 196K
描述
HIGH-SPEED 3.3V 64K X 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM

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IDT70V658S12DRI 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, PLASTIC, QFP-208针数：208
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.31
Is Samacsys：N最长访问时间：12 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：S-PQFP-G208
JESD-609代码：e0长度：28 mm
内存密度：2359296 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：36湿度敏感等级：3
功能数量：1端口数量：2
端子数量：208字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：64KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：FQFP
封装等效代码：QFP208,1.2SQ,20封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.1 mm
最大待机电流：0.015 A最小待机电流：3.15 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.515 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.45 V最小供电电压 (Vsup)：3.15 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：28 mm
Base Number Matches：1

IDT70V658S12DRI 数据手册

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PRELIMINARY  
IDT70V658S  
HIGH-SPEED 3.3V 64K x 36  
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT  
STATIC RAM  
Features  
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous  
◆
◆
Full on-chip hardware support of semaphore signaling  
between ports  
Fully asynchronous operation from either port  
Separate byte controls for multiplexed bus and bus  
matching compatibility  
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1  
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply  
for core  
access of the same memory location  
High-speed access  
◆
◆
◆
– Commercial:10/12/15ns (max.)  
– Industrial:12/15ns (max.)  
Dual chip enables allow for depth expansion without  
◆
◆
◆
external logic  
◆
IDT70V658 easily expands data bus width to 72 bits or  
◆
◆
◆
more using the Master/Slave select when cascading more  
than one device  
M/S = VIH for BUSY output flag on Master,  
M/S = VIL for BUSY input on Slave  
Busy and Interrupt Flags  
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)  
power supply for I/Os and control signals on each port  
Available in 208-pin Plastic Quad Flatpack, 208-ball fine  
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array  
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
◆
◆
◆
On-chip port arbitration logic  
Functional Block Diagram  
3
BE  
L
BE  
3
2
R
R
BE  
2
L
BE  
BE  
BE  
1
BE  
BE  
1
0
R
L
L
0
R
R/W  
R/  
W
R
L
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
2
L
B
E
3
L
B
E
3
B
E
2
B
E
1
B
E
0
CE0  
CE  
0
R
R R  
R
L
R
CE1  
R
CE1  
L
OE  
OE  
R
L
Dout0-8_L  
Dout0-8_R  
Dout9-17_L  
Dout9-17_R  
Dout18-26_R  
Dout27-35_R  
Dout18-26_L  
Dout27-35_L  
64K x 36  
MEMORY  
ARRAY  
I/O - I/O  
0L 35L  
Di n_L  
Di n_R  
I/O - I/O  
0R 35R  
A
A
15R  
0R  
A15 L  
A0 L  
Address  
Decoder  
Address  
Decoder  
ADDR_L  
ADDR_R  
CE  
CE1  
0
CE  
0
L
R
ARBITRATION  
R
CE1  
INTERRUPT  
SEMAPHORE  
LOGIC  
L
OE  
OE  
R
L
R/W  
L
R/W  
R
BUSY  
SEM  
BUSY  
R
L
SEM  
M/S  
L
R
INT  
INT  
L
R
TMS  
TCK  
TDI  
JTAG  
TDO  
TRST  
5613 drw 01  
NOTES:  
1. BUSY is an input as a Slave (M/S=VIL) and an output when it is a Master (M/S=VIH).  
2. BUSY and INT are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).  
JUNE 2001  
1
DSC-5613/3  
©2001IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
1234567...23

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IDT70V658S12DRI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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