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IDT70V321S35PF

更新时间: 2024-11-07 06:08:31
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
13页 330K
描述
Multi-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64

IDT70V321S35PF 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:QFP
包装说明:LQFP,针数:64
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:35 ns其他特性:INTERRUPT FLAG
JESD-30 代码:S-PQFP-G64JESD-609代码:e0
长度:14 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:MULTI-PORT SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:2端子数量:64
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:14 mm
Base Number Matches:1

IDT70V321S35PF 数据手册

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