5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LQFP, | 针数： | 64 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 55 ns | 其他特性： | INTERRUPT FLAG |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G64 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 14 mm | 内存密度： | 16384 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 2048 words | 字数代码： | 2000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT70V321S55PF8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 2KX8, 55ns, CMOS, PQFP64, PLASTIC, TQFP-64 |
|
| IDT70V3319 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
|
| IDT70V3319S133BC | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
|
| IDT70V3319S133BC8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA- |
|
| IDT70V3319S133BCG | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, CBGA256, 17 X 17 MM X 1.4 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA |
|
| IDT70V3319S133BCGI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 256KX18, 4.2ns, CMOS, CBGA256, 17 X 17 MM X 1.4 MM, 1 MM PITCH, GREEN, BGA |
|
| IDT70V3319S133BCGI8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA256, BGA-256 |
|
| IDT70V3319S133BCI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
|
| IDT70V3319S133BF | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
|
| IDT70V3319S133BF8 | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 256KX18, 15ns, CMOS, PBGA208, 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, F |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
