是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.36 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 12 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-PBGA-B208 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 2359296 bit |
内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度: | 36 |
湿度敏感等级: | 3 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 208 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX36 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | FBGA |
封装等效代码: | BGA208,17X17,32 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 2.5,2.5/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.02 A |
最小待机电流: | 2.4 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.51 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70T3589S-166BFI | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF | |
IDT70T3589S166BFI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PBGA208 | |
IDT70T3589S166DR | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF | |
IDT70T3589S-166DR | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF | |
IDT70T3589S166DRG | IDT |
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暂无描述 | |
IDT70T3589S166DRG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PQFP208 | |
IDT70T3589S166DRGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX36, 3.6ns, CMOS, PQFP208, 28 MM X 28 MM X 3.5 MM, GREEN, PLASTIC, QFP- | |
IDT70T3589S166DRGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PQFP208 | |
IDT70T3589S166DRI | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF | |
IDT70T3589S-166DRI | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF |