是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.36 | 最长访问时间: | 12 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B208 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 2359296 bit | 内存集成电路类型: | MULTI-PORT SRAM |
内存宽度: | 36 | 湿度敏感等级: | 3 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 208 |
字数: | 65536 words | 字数代码: | 64000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64KX36 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA208,17X17,32 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 2.5,2.5/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.02 A | 最小待机电流: | 2.4 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.51 mA |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70T3589S166DR | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF | |
IDT70T3589S-166DR | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF | |
IDT70T3589S166DRG | IDT |
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暂无描述 | |
IDT70T3589S166DRG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PQFP208 | |
IDT70T3589S166DRGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 64KX36, 3.6ns, CMOS, PQFP208, 28 MM X 28 MM X 3.5 MM, GREEN, PLASTIC, QFP- | |
IDT70T3589S166DRGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PQFP208 | |
IDT70T3589S166DRI | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF | |
IDT70T3589S-166DRI | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF | |
IDT70T3589S166DRI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 64KX36, 12ns, CMOS, PQFP208 | |
IDT70T3589S200BC | IDT |
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HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERF |