是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | PGA | 包装说明: | HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180 |
针数: | 180 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 25 ns |
其他特性: | BATTERY BACK-UP | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P180 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 40.64 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 4 |
端子数量: | 180 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA180(UNSPEC) | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0024 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 1.4 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 40.64 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70M74L30G | IDT |
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SRAM Module, 4KX16, 30ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180 | |
IDT70M74L30GB | IDT |
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SRAM Module, 4KX16, 30ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180 | |
IDT70M74L35G | IDT |
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SRAM Module, 4KX16, 35ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180 | |
IDT70M74L35GB | IDT |
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SRAM Module, 4KX16, 35ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180 | |
IDT70M74L45G | IDT |
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SRAM Module, 4KX16, 45ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180 | |
IDT70M74L45GB | IDT |
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SRAM Module, 4KX16, 45ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180 | |
IDT70M74S25G | ETC |
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Quad-Port SRAM Module | |
IDT70M74S30G | ETC |
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Quad-Port SRAM Module | |
IDT70M74S30GB | ETC |
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Quad-Port SRAM Module | |
IDT70M74S35G | ETC |
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Quad-Port SRAM Module |