是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | PGA | 包装说明: | HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180 |
针数: | 180 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A001.A.2.C | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 35 ns |
其他特性: | BATTERY BACK-UP | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-CPGA-P180 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 40.64 mm | 内存密度: | 65536 bit |
内存集成电路类型: | SRAM MODULE | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 4 |
端子数量: | 180 | 字数: | 4096 words |
字数代码: | 4000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 4KX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA180(UNSPEC) | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
最大待机电流: | 0.0072 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 1.58 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | PERPENDICULAR | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 40.64 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IDT70M74L45G | IDT |
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SRAM Module, 4KX16, 45ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180 |
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IDT70M74L45GB | IDT |
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SRAM Module, 4KX16, 45ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180 |
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IDT70M74S25G | ETC |
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Quad-Port SRAM Module |
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IDT70M74S30G | ETC |
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Quad-Port SRAM Module |
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IDT70M74S30GB | ETC |
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Quad-Port SRAM Module |
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IDT70M74S35G | ETC |
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Quad-Port SRAM Module |
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IDT70M74S35GB | ETC |
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Quad-Port SRAM Module |
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IDT70M74S45G | ETC |
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Quad-Port SRAM Module |
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IDT70M74S45GB | ETC |
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Quad-Port SRAM Module |
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IDT70P24 | IDT |
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HIGH-SPEED 1.8V 8/4K x 18 DUAL-PORT, 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
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