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IDT70M74L30GB

更新时间： 2024-01-27 03:19:22

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	240K
描述
SRAM Module, 4KX16, 30ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180

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IDT70M74L30GB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	PGA	包装说明：	HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180
针数：	180	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	30 ns
其他特性：	BATTERY BACK-UP	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CPGA-P180	JESD-609代码：	e0
长度：	40.64 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	4
端子数量：	180	字数：	4096 words
字数代码：	4000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	4KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装等效代码：	PGA180(UNSPEC)	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：	0.0072 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	1.6 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	40.64 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT70M74L35G	IDT	获取价格	SRAM Module, 4KX16, 35ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180
IDT70M74L35GB	IDT	获取价格	SRAM Module, 4KX16, 35ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180
IDT70M74L45G	IDT	获取价格	SRAM Module, 4KX16, 45ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180
IDT70M74L45GB	IDT	获取价格	SRAM Module, 4KX16, 45ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180
IDT70M74S25G	ETC	获取价格	Quad-Port SRAM Module
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