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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | TQFP-80 | 针数： | 80 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码： | S-PQFP-G80 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 14 mm | 内存密度： | 36864 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 80 |
| 字数： | 4096 words | 字数代码： | 4000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LQFP |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.6 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | BICMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 14 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7099S25PFB | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30G | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30GB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30J | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30JB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30PF | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT70ALVCH16823PA | IDT |
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3.3V CMOS 18-BIT BUS-INTERFACE FLIPFLOP WITH 3-STATE OUTPUTS AND BUS-HOLD |
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| IDT70LVC162374APA | IDT |
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3.3V CMOS 16-BIT EDGE TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP WITH 3-STATE OUTPUTS, 5 VOLT TOLERANT I/O |
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| IDT70LVC162374APF | IDT |
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3.3V CMOS 16-BIT EDGE TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP WITH 3-STATE OUTPUTS, 5 VOLT TOLERANT I/O |
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晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
Galaxy S25系列或全系搭载骁龙8 Elite
三大厂商12层HBM3E进展迅速
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
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