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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 68 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 25 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 24.2062 mm | 内存密度： | 36864 bit |
| 内存集成电路类型： | MULTI-PORT SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 68 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4KX9 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.572 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BICMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 24.2062 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDT7099S25JB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S25PF | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S25PF8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 4KX9, 25ns, BICMOS, PQFP80, TQFP-80 |
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| IDT7099S25PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30G | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30GB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30J | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30JB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30PF | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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| IDT7099S30PFB | IDT |
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HIGH-SPEED 4K x 9 SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
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晶圆厂易主：Coherent公司2000万英镑出售苹果供应链关键资产
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三大厂商12层HBM3E进展迅速
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