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IDT70825L35GG

更新时间： 2024-11-14 15:45:23
品牌 Logo 应用领域
艾迪悌 - IDT 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 213K
描述
Standard SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, PGA-84

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IDT70825L35GG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：PGA
包装说明：PGA-84针数：84
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.83
最长访问时间：35 ns其他特性：AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码：S-CPGA-P84JESD-609代码：e3
长度：27.94 mm内存密度：131072 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：84
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8KX16
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：PGA
封装形状：SQUARE封装形式：GRID ARRAY
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.207 mm
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：MATTE TIN端子形式：PIN/PEG
端子节距：2.54 mm端子位置：PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：27.94 mm
Base Number Matches：1

IDT70825L35GG 数据手册

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IDT70825S/L  
HIGH SPEED 128K (8K X 16 BIT)  
SEQUENTIAL ACCESS  
RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM™)  
Features  
◆
◆
Architecture based on Dual-Port RAM cells  
Compatible with Intel BMIC and 82430 PCI Set  
Width and Depth Expandable  
Sequential side  
High-speed access  
◆
– Military: 35/45ns (max.)  
◆
– Commercial: 20/25/35/45ns (max.)  
Low-power operation  
◆
◆
– Address based flags for buffer control  
– IDT70825S  
– Pointer logic supports up to two internal buffers  
Battery backup operation - 2V data retention  
TTL-compatible, single 5V (+10%) power supply  
Available in 80-pin TQFP and 84-pin PGA  
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML  
Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is available  
for selected speeds  
Active: 775mW (typ.)  
Standby: 5mW (typ.)  
– IDT70825L  
◆
◆
◆
Active: 775mW (typ.)  
Standby: 1mW (typ.)  
◆
◆
◆
8K x 16 Sequential Access Random Access Memory  
™
(SARAM )  
– Sequential Access from one port and standard Random  
Access from the other port  
– Separate upper-byte and lower-byte control of the  
Random Access Port  
High speed operation  
– 20ns tAA for random access port  
– 20ns tCD for sequential port  
– 25ns clock cycle time  
Description  
The IDT70825 is a high-speed 8K x 16-Bit Sequential Access  
Random Access Memory (SARAM). The SARAM offers a single-chip  
solution to buffer data sequentially on one port, and be accessed  
randomly (asynchronously) through the other port. The device has a  
◆
Functional Block Diagram  
13  
RST  
SCLK  
CNTEN  
SOE  
SSTRT  
A
0-12  
CE  
OE  
Random  
Access  
Port  
Sequential  
Access  
R/W  
LB LSB  
UB MSB  
CMD  
1
2
Port  
Controls  
SSTRT  
Controls  
,
SCE  
SR/W  
SLD  
8K X 16  
Memory  
Array  
16  
16  
16  
Data  
Addr  
R
Reg.  
13  
Data  
L
I/O0-15  
SI/O0-15  
13  
Addr  
L
R
13  
RST  
13  
Pointer/  
Counter  
13  
13  
Start Address for Buffer #1  
End Address for Buffer #1  
Start Address for Buffer #2  
End Address for Buffer #2  
Flow Control Buffer  
13  
EOB  
1
2
COMPARATOR  
EOB  
Flag Status  
3016 drw 01  
MAY 2000  
1
DSC-3016/9  
©2000IntegratedDeviceTechnology,Inc.  
6.07  
1234567...21

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与IDT70825L35GG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDT70825L35GGB IDT

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 		Standard SRAM, 8KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, PGA-84
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