Datasheet > 存储 > SRAM> IDT7026L20JB

IDT7026L20JB

更新时间： 2024-11-20 23:01:07

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
18页	239K
描述
HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IDT7026L20JB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	QCCJ,	针数：	84
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	20 ns
其他特性：	16K X 16 DUAL PORT SRAM	JESD-30 代码：	S-PQCC-J84
JESD-609代码：	e0	长度：	29.3116 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	1
功能数量：	1	端子数量：	84
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	16KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QCCJ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535
座面最大高度：	4.57 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	29.3116 mm	Base Number Matches：	1

IDT7026L20JB 数据手册

HIGH-SPEED

IDT7026S/L

16K x 16 DUAL-PORT

STATIC RAM

Integrated Device Technology, Inc.

FEATURES:

• True Dual-Ported memory cells which allow simulta-

neous access of the same memory location

• High-speed access

• IDT7026 easily expands data bus width to 32 bits or

more using the Master/Slave select when cascading

more than one device

— Military: 25/35/55ns (max.)

— Commercial: 20/25/35/55ns (max.)

• Low-power operation

• M/S = H for BUSY output flag on Master,

M/S = L for BUSY input on Slave

• On-chip port arbitration logic

— IDT7026S

• Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Active: 750mW (typ.)

Standby: 5mW (typ.)

— IDT7026L

Active: 750mW (typ.)

Standby: 1mW (typ.)

• Separate upper-byte and lower-byte control for

multiplexed bus compatibility

• Fully asynchronous operation from either port

• TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

• Available in 84-pin PGA and 84-pin PLCC

• Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is avail-

able, tested to military electrical specifications

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

OER

I/O8L-I/O15L

I/O0L-I/O7L

I/O8R-I/O15R

I/O0R-I/O7R

I/O

Control

I/O

Control

BUSY^(1,2)

BUSY ^(1,2)

13L

13R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

SEMAPHORE

LOGIC

CEL

CER

SEM

M/S

2939 drw 01

NOTES:

1. (MASTER): BUSY is output; (SLAVE): BUSY is input.

2. BUSY outputs are non-tri-stated push-pull.

The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.

MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES

OCTOBER 1996

For latest information contact IDT’s web site at www.idt.com or fax-on-demand at 408-492-8391.

DSC 2939/3

6.17

12 3 4 5 6 7...18

中文翻译

下载PDF

与IDT7026L20JB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IDT7026L20JBG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 20ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7026L20JGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 20ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7026L20JGI8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 20ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7026L25G	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026L25GB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026L25GG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, CPGA84, CERAMIC, PGA-84
IDT7026L25GI	IDT	获取价格	暂无描述
IDT7026L25J	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT7026L25J8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
IDT7026L25JB	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM

与IDT7026L20JB相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

27
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

19
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

49
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

47

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT7026L20JB

IDT7026L20JB 技术参数

IDT7026L20JB 数据手册

与IDT7026L20JB相关器件

与IDT7026L20JB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IDT7026L20JB

IDT7026L20JB 技术参数

IDT7026L20JB 数据手册

与IDT7026L20JB相关器件

与IDT7026L20JB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？